光刻機的名字主要由它採用的光源來區分，EUV  光刻機採用極紫外線  (Extreme Ultraviolet)；DUV  光刻機採用  ArF  光源。目前光刻機大致上可分為  5  大種類，分別是  EUV，DUV  又再分為  ArFi、 ArF  dry  和  KrF，最後還有採用紫外線的  i-line。

(1)  EUV

EUV  是極紫外線光刻機，是目前最先進的光刻機，應用於  2  –  7  納米  (nm) 的先進製程。暫時只有阿斯麥  (ASML)  能製造出  EUV  光刻機，其型號為  NXE，主要用來生產  CPU  及  GPU  等高端晶片。

 

DUV  光刻機可細分為乾式和浸潤式，主要區別在於浸入式  DUV  將物鏡和晶圓之間的填充由空氣改為了水，從而獲得更高的解析度和成像能力：

(2)  ArFi

ArFi  是  ArF  光刻機的改進版，也稱為浸潤式  DUV  光刻機，製程是  45 – 7 納米(nm)

 

(3)  ArF dry

ArF dry  是乾式  DUV  光刻機，製程是  65 – 45 納米  (nm)

 

(4)  KrF

KrF  是低端的  DUV  光刻機，製程是  180 – 65 納米  (nm)

 

(5)  i-line

UV  (i-line) 是最低端的光刻機，主要用於35 微米 (0.35µm) 的工藝。

 

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